Linde per construir una nova unitat de separació d'aire per a la planta de xip Pyeongtaek de Samsung
Segons l’anunci de Linde el 29 d’abril, el gegant de gas industrial construirà un nouUnitat de separació d’aire (ASU)per ampliar el seu subministrament de gas al complex massiu de fabricació de xips de Samsung aPyeongtaek, Corea del Sud.
El nou ASU, que s'espera que estigui operatiu permitjans del 2016, serà elVuitè lloc - lloc ASUA la instal·lació, subministrantnitrogen, oxigen i argó. Linde també aprofitarà els seus existents a les instal·lacions de producció d’hidrogen -hidrogena Samsung.
"Pyeongtaek és el lloc únic més gran de Linde a nivell mundial per a un client d'electrònica", va declararBS Sung, president de Linde Corea.
El complex Pyeongtaek de Samsung és un delsLes instal·lacions de fabricació de semiconductors més grans del món, produint DRAM avançat, memòria flash NAND i xips lògics. La companyia continua invertint milers de milions de dòlars per ampliar la producció al lloc per satisfer la demanda creixent de semiconductors en IA, centres de dades i electrònica. El 2020, Samsung va anunciar plans per invertir100 mil milions de dòlars el 2030En la fabricació avançada de xips, amb una porció significativa assignada per ampliar la instal·lació de Pyeongtaek i un nou Fab.
Per donar suport a la seva producció en expansió, la planta de Pyeongtaek requereix grans quantitats d’Ultra - High - gasos de puresa. Una sola línia de producció de semiconductors pot consumir -se fins a50.000 nm³ de nitrogen per horaPer a processos de purga, inerció i neteja. L’hidrogen, l’oxigen i l’argó també són essencials per a les etapes de deposició, gravat i oxidació de la producció de xip.
